普通二极管与肖特基二极管特性对比 导通压降差异 普通二极管:硅管导通压降约0.7-1.7V,锗管约0.2-0.3V 肖特基二极管:导通压降仅0.15-0.45V,显著提升系统效率 切换速率对比 ...

公司目前拥有整流、快速恢复、超快速、肖特基、双向触发管、整流桥、高压以及瞬间突波电压吸收、多种封装形式的二极管,近年公司开发SOD系列的二极管及微小型桥堆等超薄微小...

普通二极管和肖特基二极管在工作原理、特性参数和应用场景方面存在显著差异。 普通二极管通常由半导体材料(如硅或锗)制成,并具有一个PN结。当正向电压施加时,电流可以...

由于SiC 材料具有禁带宽度大，载流子迁移率较高( 达到Si 材料的80%)，进入了研究人员的视线，多种结构SiC 基器肖特基结器件见诸报道。但SiC 材料昂贵，适用于制... 详情>>概述 - 结构 - 特性

强元芯首页肖特基二极管Low VF 肖特基Low VF肖特基(低压降)TO-277封装肖特基二极管TO-220封装肖特基二极管TO-247封装肖特基二极管TO-251/252/262/263封装肖特基超快恢复二...